铭芯启睿完成首款 1T4R 1Gb RRAM 芯片流片
国产 RRAM 首次把 1T4R 高密度路线推到 Gb 级芯片，解决容量、密度与 CMOS 工艺兼容的取舍，为端侧存算提供新选项。
MemSilicon（铭芯启睿）宣布首代高密度大容量 RRAM（阻变存储器，靠材料电阻变化存数据、断电不丢）芯片「泰山一号」完成流片。它基于 28nm CMOS 工艺和 1T4R 结构，单芯片容量 1Gb，密度 30Mb/mm²，访问延时低于 20ns，目前正在推进验证。
正文摘录
.png) 2026 年 10 月 12 日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布完成基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM 芯片“泰山一号（MountTai 2026）”流片。 “泰山一号”是 MemSilicon 将 1TnR 高密度、大容量新型存储芯片技术从早期研究推向 Gb 级芯片产品化的里程碑。这一技术路线通过多个阻变存储单元共享选择晶体管，提高单位面积内的存储容量，并利用与 CMOS 平台完全兼容的后道集成方式，实现了密度、容量和成本兼得。 该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台和 1T4R 单元结构，单芯片容量 1Gb，密度达到 30Mb/mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路，在大容量、高密度与高速读取之间实现了协同突破，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供了具有国际竞争力的解决方案。 目前，“泰山一号”已完成流片，正在推进验证。  “泰山一号”封装图 01 需求激增，需要密度、容量和工艺兼容性的最优解 从高性能 SoC 到具身智能、AI PC 等智能终端，芯片需要容纳更多权重、KV Cache、参数和数据，同时控制访问延迟、功耗与成本。存储器不仅要“装得下”，还要在适合产品量产的片上集成条件下，满足持续增长的容量需求。 不同存储技术各有所长，也各有约束。