SK海力士考虑将HBM4E基底晶圆交由英特尔代工，以多元化供应链

转发 @jukan05: [独家] SK海力士考虑将英特尔用于下一代HBM基底芯片

SK海力士正在寻求为高带宽内存（HBM）中使用的基底芯片实现代工供应商多元化，HBM通过垂直堆叠多个内存芯片制造。

据报道，该公司正在考虑将部分HBM4E（HBM的第七代）基底芯片生产外包给英特尔代工。到目前为止，SK海力士在代工基底芯片生产方面完全依赖台积电。

此举被视为建立多供应商代工战略，以减少对台积电的供应链集中度，同时增强SK海力士在定价方面的议价能力。

据业内人士8月31日透露，SK海力士正在推进一项计划，根据该计划，HBM4E的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从HBM4E这一代开始。

基底芯片位于HBM堆栈的底部，作为控制器芯片，支撑和管理整体结构，通常也被称为逻辑芯片。基底芯片负责连接HBM与GPU、CPU等外部处理器的高速接口。

直到HBM3E，SK海力士都用自己的工艺制造基底芯片。然而，随着HBM各代产品对基底芯片的逻辑、控制功能和性能越来越重视，SK海力士从HBM4开始与台积电合作制造基底芯片。SK海力士目前量产的HBM4产品使用的是台积电12nm级工艺制造的基底芯片。

关键问题在于基底芯片的成本负担。据业内人士透露，HBM4中使用的台积电制造的基底芯片的成本估计是核心芯片（堆叠在基底芯片上方的DRAM芯片，直接存储数据）的三到四倍，而核心芯片是SK海力士采用其10nm级第五代1b工艺制造的。

随着HBM4E的推出，基底芯片的成本负担预计将进一步增加。由于HBM产品大多受长期供应协议（LTA）覆盖，SK海力士也很难立即通过提高产品价格将更高的代工成本转嫁给客户。

因此，行业观察人士认为，如果英特尔最终加入SK海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。

此举也被解读为分散当前集中于台积电的供应链的长期战略的一部分。从HBM4开始，“定制HBM”——即基底芯片设计针对个别客户的AI加速器架构和性能要求进行定制——变得越来越重要。

对SK海力士而言，这要求其摆脱围绕特定客户和代工厂集中的生态系统，并扩大与更广泛AI芯片公司合作的能力。

还有猜测称，SK海力士与英特尔的合作最终可能从基底芯片制造扩展到先进封装。

在硅谷举行的高性能半导体和计算架构会议Hot Chips上，SK海力士美国封装工程副总裁Lee Jae-sik表示，公司正在评估和比较主要的先进封装技术，包括台积电的CoWoS-S和CoWoS-L以及英特尔的EMIB。

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